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01117nam0 2200301 450
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0200707437
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005
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20240429105054.6
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@a978-7-302-53134-0@dCNY118.00
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@a20200530d2020 em y0chiy50 ea
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@achi@ceng
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@aCN@b110000
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@aa z 000yy
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@ar
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@a三维存储芯片技术@9san wei cun chu xin pian ji shu@d3D flash memories@f(圣马)里诺·米歇洛尼(Rino Micheloni)著@g吴华强，高滨，钱鹤译@zeng
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@a北京@c清华大学出版社@d2020
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@a15,277页@c图@d26cm
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@a新视野电子电气科技丛书
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305
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@a由德国施普林格公司授权出版
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@a本书着眼于3D NAND闪存技术发展的未来，结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势，介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等，同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容。
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@a3D flash memories@zeng
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@a集成芯片@x研究
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@aTN43@v5
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@c(圣马)@a米歇洛尼@9mi xie luo ni@c(Micheloni, Rino)@4著
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@a吴华强@9wu hua qiang@4译
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@a高滨@9gao bin@4译
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@a钱鹤@9qian he@4译
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@aCN@bZZZD@c20240429
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@dTN43@e1/XGXY@f1
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| 三维存储芯片技术=3D flash memories/(圣马)里诺·米歇洛尼(Rino Micheloni)著/吴华强，高滨，钱鹤译.-北京：清华大学出版社，2020 |
| 15,277页：图；26cm.-(新视野电子电气科技丛书) |
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| ISBN 978-7-302-53134-0：CNY118.00 |
| 本书着眼于3D NAND闪存技术发展的未来，结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势，介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等，同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容。 |
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正题名：三维存储芯片技术
索取号：TN43/1/XGXY
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1313661
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213136619
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信息工程学院资料室/
[索取号:TN43/1/XGXY]
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在馆
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架位导航
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